微電子工藝-工藝集成與封裝測試(ppt 104頁)
微電子工藝-工藝集成與封裝測試(ppt 104頁)內容簡介
主要內容
第五單元 工藝集成與封裝測試
第12章 工藝集成
12.1 金屬化與多層互連
12.1.1 歐姆接觸
12.1.2 布線技術
1、電遷移現象
2、穩定性
3、金屬布線的工藝特性
4、合金工藝
12.1.3 多層互連
12.1.4 銅多層互連係統工藝流程
12.2 CMOS集成電路工藝
12.2.1 隔離工藝
12.2.2 阱工藝結構
12.2.3 薄柵氧化技術
12.2.4 非均勻溝道摻雜
12.2.5 柵電極材料與難溶金屬矽化物自對準工藝
12.2.6 源/漏技術與淺結形成
12.2.7 CMOS電路工藝流程
12.3 雙極型集成電路工藝
12.3.1 隔離工藝
12.3.2 雙極型集成電路工藝流程
12.3.3 多晶矽在雙極型電路中的應用
本章重點
第13章 工藝監控
13.1 概述
13.2 實時監控
13.3 工藝檢測片
13.3.1 晶片檢測
13.3.2 氧化層檢測
13.3.3 光刻工藝檢測
13.3.4 擴散層檢測
13.3.5 離子注入層檢測
13.3.6 外延層檢測
13.4 集成結構測試圖形
13.4.1 微電子測試圖形的功能與配置
13.4.2 幾種常用的測試圖形
13.4.3 微電子測試圖形實例
第14章 封裝與測試
14.1 芯片封裝技術
14.1.1 封裝的作用和地位
14.1.2 封裝類型
14.1.3 幾種典型封裝技術
14.1.4 未來封裝技術展望
14.2 集成電路測試技術
14.2.1 簡介
14.2.2 數字電路測試方法
14.2.3 數字電路失效模型
14.2.4 IDDQ--準靜態電流測試分析法
14.2.5 模擬電路及數模混合電路測試
14.2.6 未來測試技術展望
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第五單元 工藝集成與封裝測試
第12章 工藝集成
12.1 金屬化與多層互連
12.1.1 歐姆接觸
12.1.2 布線技術
1、電遷移現象
2、穩定性
3、金屬布線的工藝特性
4、合金工藝
12.1.3 多層互連
12.1.4 銅多層互連係統工藝流程
12.2 CMOS集成電路工藝
12.2.1 隔離工藝
12.2.2 阱工藝結構
12.2.3 薄柵氧化技術
12.2.4 非均勻溝道摻雜
12.2.5 柵電極材料與難溶金屬矽化物自對準工藝
12.2.6 源/漏技術與淺結形成
12.2.7 CMOS電路工藝流程
12.3 雙極型集成電路工藝
12.3.1 隔離工藝
12.3.2 雙極型集成電路工藝流程
12.3.3 多晶矽在雙極型電路中的應用
本章重點
第13章 工藝監控
13.1 概述
13.2 實時監控
13.3 工藝檢測片
13.3.1 晶片檢測
13.3.2 氧化層檢測
13.3.3 光刻工藝檢測
13.3.4 擴散層檢測
13.3.5 離子注入層檢測
13.3.6 外延層檢測
13.4 集成結構測試圖形
13.4.1 微電子測試圖形的功能與配置
13.4.2 幾種常用的測試圖形
13.4.3 微電子測試圖形實例
第14章 封裝與測試
14.1 芯片封裝技術
14.1.1 封裝的作用和地位
14.1.2 封裝類型
14.1.3 幾種典型封裝技術
14.1.4 未來封裝技術展望
14.2 集成電路測試技術
14.2.1 簡介
14.2.2 數字電路測試方法
14.2.3 數字電路失效模型
14.2.4 IDDQ--準靜態電流測試分析法
14.2.5 模擬電路及數模混合電路測試
14.2.6 未來測試技術展望
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